Samsung Electronics dijo que ha desarrollado una nueva tecnología de memoria DRAM basada en el estándar de interconexión Compute Express Link que puede mejorar el rendimiento de los centros de datos.
Samsung presentó el primer módulo de memoria DRAM Double Data Rate 5 (DDR5) de la industria que admite la interfaz CXL avanzada.
A diferencia de la memoria convencional basada en DDR, que tiene canales de memoria limitados, Samsung dijo que su módulo DRAM basado en CXL puede expandir su capacidad de memoria al nivel de terabytes mientras reduce la latencia del sistema.
Dicho módulo de memoria será ideal para satisfacer las demandas de las aplicaciones con uso intensivo de datos, incluida la inteligencia artificial y las cargas de trabajo de computación de alto rendimiento (HPC) en los centros de datos, agregó.
Samsung dijo que aplicó un factor de forma de unidad de estado sólido empresarial y de centro de datos (EDSFF), que se utiliza para unidades de estado sólido de gran capacidad, para expandir la capacidad de memoria de su DRAM basada en CXL, informa la agencia de noticias Yonhap.
El productor de chips de memoria más grande del mundo también incorporó varias soluciones de controlador y software como mapeo de memoria, conversión de interfaz y gestión de errores, para que el sistema informático pueda reconocer la memoria basada en CXL y utilizarla como memoria principal.
Samsung ha estado colaborando con fabricantes de centros de datos, servidores y conjuntos de chips para desarrollar tecnología de interfaz de próxima generación desde que se formó el consorcio CXL en 2019.
El gigante tecnológico surcoreano dijo que su nuevo módulo DRAM ha sido verificado con éxito en plataformas de servidores de próxima generación de Intel Corp., y planea comercializar el producto en el futuro.
Fuente: business-standard
